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一般情况下，标注的静电电容是在20℃，120Hz下的值.这个值会随着温度的升高而增加，随着温度的降低而降低.通常，标注的正切损耗角(tanδ)也是在20℃，120Hz下的值.这个值随着周边温度的升高而降低，随着周边温度的降低而升高.漏电流随着温度的升高而增加，随着温度的降低而减少.6.电容特性随着频率的变化

另外建议加在高频数字电路上我们建议加1nF贴片电容，原因就是1nf电容的谐振频率在100MHZ之间。不同厂家谐振频点有所不同，这样比较好滤波几十MHZ到200MHZ干扰，有利与EMI问题解决。所以说，我们采取电容滤波时要达到滤波效果，必须选取合适的电容以及接干扰比较小的地。电容的电容量会影响谐振频率吗?

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这类电容的特点：电容量小，耐压高。非常常见的电容：CBB22电容、CBB81电容、X2安规电容等。交流薄膜电容交流薄膜电容的重要特性：通交流，阻直流。特别需要注意的是：在直流电路中，薄膜电容器相当于断路的。根据上面的解释，你真正了解直流薄膜电容和交流薄膜电容的区别了吗？为什么口罩机电容要使用CBB81电容

电容识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10uF/16V。

绕制电感要特别留意的问题绕制电感要特别留意的问题众所周知，电感在电路中具有一定的滤波作用，那么制造电磁干扰滤波器的电感时，需求注重的问题是尽量减小电感上的杂散电容。电感上的杂散电容来自两个方面，一是线圈的匝间电容，另一个是绕组与磁芯之间的电容，因而减小电感的杂散电容也要从这两个方面动手。首先假如是磁芯导体，应该先减小绕组与磁芯之间的电容，详细办法是在绕组与磁芯之间加一层介电常数较低的绝缘资料，增加绕组与磁芯之间的间隔。其次要减小匝间的电容，那么线圈的绕制办法很重要。下面就说说绕制线圈时要特别留意的问题：

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5)如果电容的套筒和PCB板直接接触的话，过高的焊接温度或过长的焊接时间都将引起电容套筒的收缩或破裂。6)如果要长期使用，就要理解和运用其焊接特性以避免电容和PCB板间的接触故障而引起的异常电流。4.焊接后的处理1)焊接后，不要倾斜，推倒或扭曲电容2)焊接后，不要用手揪着电容器提PCB板3)焊接后，不要用任何物体撞击电容器。

电容量随频率的变化小于±0.3ΔCNPO电容的漂移或滞后小于±0.05%相对大于±2%薄膜电容来说是可以忽略不计的其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，NPO电容器是电容量和介质损耗很稳定的电容器之一。温度从-55℃到125℃时容量变化为0±30ppm/℃。大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

同样，数字104代表皮革中的10和4个零，相当于100000pF或100nF等。字母代码有时用于表示它们的公差值，例如J≤0.05、K≤0.1、M≤0.2等等。当需要很大的电容值时，通常使用电解电容。非常薄的金属膜层不是电极之一，而是以浆液或浆液形式的半液体电解质溶液作为第二电极(通常是阴极)。介电层是一层非常薄的氧化膜，生产过程很长，薄膜厚度小于10微米。绝缘层非常薄，由于板间的距离d很小，所以可以制造出电容很大的电容。

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陶瓷贴片电容主要特性参数介绍，陶瓷贴片电容是MLCC的简称，贴片电容目前在市场上的年使用量可达上百亿颗，作为大众电子元器件，我们需要更加了解它。在使用或设计产品需要用到贴片电容时我们应该要足够了解它的性能以及参数才知道如何选购，下面我们一起看看下面6个主要特性。(1)容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的非常大偏差范围。一般使用的容量误差有：J级±5%，K级±10%，M级±20%。

电容电子电路中，只有在电容器充电过程中，才有电流流过，充电过程结束后，电容器是不能通过直流电的，在电路中起着“隔直流”的作用。电路中，电容器常被用作耦合、旁路、滤波等，都是利用它“通交流，隔直流”的特性。那么交流电为什么能够通过电容器呢?我们先来看看交流电的特点。交流电不仅方向往复交变，它的大小也在按规律变化。