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场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。电力MOSFET的基本特性（1）静态特性漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。（2）MOSFET的漏极伏安特性（即输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）饱和区（对应于GTR的放大区）非饱和区（对应GTR的饱和区）

三极管Ib控制Ic（流控流源）。MOS管Ugs控制Id（压控流源）。MOS管的开启阀值电压Ugs(th)：一般是4.5V，有的管是2V。这个参数相当于三极管的Ib=1mA。即大于4.5V才进入饱和区。三极管的阀值电流是Ib=0.5mA。Ib>0.5mA工作在放大区，Ib<0.5mA工作在截止区。Ib>1mA工作在饱和区。GS的正反偏电压一般是±20V。

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下降沿的分析与上升沿是一样的。所以要求平台电压越短越好！工程上缩短平台电压的两个方法：驱动电压要尽可能高。驱动电流要尽可能大，加快充电速度。驱动电源的内阻要小，驱动电流才大。放电内阻也要小。可以理解为这个时段，米勒电容充电充满了。可变电阻区就是预夹断之前的区域。而FET是由加在输入端（栅极）的电压来控制输出端（漏极）的电流，属于压控流元件。

电力MOSFET的基本特性--MOSFET的漏极伏安特性（即输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应GTR的饱和区）；工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时导通。通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。