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FET是FieldEffectTransistor的缩写，称为场效应晶体管。它是晶体管的一种。通常所说的晶体管是指双极晶体管。场效应晶体管的工作方式是沟道中的多数载流子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动，形成了漏极电流。只涉及到一种载流子的漂移作用，所以也叫单极性晶体管。FET有三个电极分别是栅极（Gate）、源极（Source）和漏极（Drain）。

注意的是多数场效应管的Rds增大，表针向左摆动，少数场效应管的Rds减小，表针向右摆动．但无论表针摆动方向如何，只要能明显地摆动，就说明管子具有放大能力。但由于MOS管的输入电阻更高，栅极允许的感应电压不应过高，故不能直接用手去捏栅极，必须用手握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止感应电荷直接加到栅极上，引起MOS管的栅极击穿．

双极性晶体管，全称双极性结型晶体管（bipolarjunctiontransistor，BJT），俗称三极管，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。双极性晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载流子晶体管。三极管是由输入端（基极）流动的电流来控制输出端（集电极）的电流，属于流控流元件。

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分压式自偏压电路图为分压式自偏压电路，又称栅极接正电位偏置电路。它是在自给偏压共源极放大电路的基础上，加上分压电阻R1和R2构成的。电路中为了稳定静态工作点，可以增大源极电阻，源极电阻越大负反馈作用越强，工作点越稳定，但是与此同时漏极电流也会减小，从而影响放大器的性能。所以电路中采用分压式自偏压电路。

为了在源极结中形成具有急剧轮廓的高掺杂浓度结并在漏极结中形成具有缓和轮廓的低掺杂浓度结，需要对准离子注入方向。因此，需要对准形成电路的FET的源极区和漏极区的取向。并且，在形成ニ输入NAND电路的情况下，垂直层叠n-FET，并且存在用作两个n_FET的源极区和漏极区的区域。在源极/漏极区形成非対称结构的情况下，不能形成这种电路布局。在源极/漏极区形成对称结构的情况下，即使存在用作两个n-FET的源极区和漏极区的区域，也不出现问题。如上所述，在源极/漏极区形成非対称结构的情况下，常规电路设计技术不能被原样应用于器件布局，并且，存在伴随布局设计改变的面积增加和成本増加的问题。