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连云港AOK22N50工厂店

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无结场效应晶体管（JunctionlessFieldEffectTransistor，JLT）是场效应晶体管的一种，由源极、漏极及中间的金属-氧化物-半导体（Metal-Oxide-Semiconductor，MOS）电容结构构成。与传统的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor，MOSFET）器件不同，源极、沟道及漏极的杂质掺杂类型相同，无PN结，属于多数载流子导电器件。JLT利用栅极偏置电压改变垂直于导电沟道的电场强度，使沟道内的多数载流子累计或者耗尽，从而调制沟道电导控制沟道电流。无结场效应晶体管（JLT）已被提出作为传统MOSFET的替代品，以减轻传统晶体管由于特征尺寸微缩所面临的技术挑战。

场效应管英文缩写：FET(Field-effecttransistor)。场效应管分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管，场效应管电路符号：场效应管(MOS管)和晶体管(三极管)小知识。场效应管的三个引脚分别表示为：G(栅极)，D(漏极)，S(源极)。场效应管属于电压控制型元件，又利用多电子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高，噪声小，功耗低，无二次击穿现象等优点。具有较高输入电阻、输入电流低于零，几乎不要向信号源吸取电流，在G注入电流的大小，直接影响D电流的大小，利用输出电流控制输出电源的半导体。

当代所有集成电路芯片均由PN结或肖特基势垒结构成，如结型场效应晶体管（JunctionFieldEffectTransistor，JFET）垂直沟道方向有一个PN结，金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）平行沟道方向有两个背靠背的PN结，高电子迁移率晶体管（HighElectronMobilityTransistor，HEMT）垂直沟道方向有一个栅电极肖特基势垒结，等等。

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三极管与场效应管的区别：检测晶体三极管时，万用表置于“R&TImes；1k”挡。先用黑表笔接某一管脚，红表笔分别接另外两管脚，测得两个电阻值。再将黑表笔换接另一管脚，重复以上步骤，直至测得两个电阻值都很小（NPN管）或都很大（PNP管），这时黑表笔所接的是基极b。接着，对于NPN管，用红表笔接基极以外的一管脚，左手拇指与中指将黑表笔与基极捏在一起，同时用左手食指触摸余下的管脚，这时表针应向右摆动。将基极以外的两管脚对调后再测一次。两次测量中，表针摆动幅度较大的那一次，黑表笔所接为集电极，红表笔所接为发射极。表针摆动幅度越大，说明被测三极管的β值越大。

三极管与场效应管的区别：场效应管可以方便地用作恒流源，如图所示，如果漏极电流ID因故增大，源极电阻RS上形成的负栅压也随之增大，迫使ID回落，反之亦然，使ID保持恒定。恒定电流ID=|UP|/RS，式中，UP为场效应管夹断电压。集电极电流和发射极电流受基极电流的控制，所以晶体三极管是电流控制型器件。对于PNP管则对调红、黑表笔测量。